韩国记忆体产业的核心优势仍难以撼动，因为这个高度依赖长期量产经验与制程熟练度的产业，资金无法直接兑换技术成熟度。

全球DRAM市场仍由三星电子、SK海力士与美光三强主导，合计市占逾90%，关键优势集中在先进DRAM与AI核心所需的高频宽记忆体（HBM）。

韩国厂商凭借数十年量产经验、与一线客户深度协作，以及将复杂制程稳定转化为高良率产能的能力，构筑难以复制的护城河。其已率先商用DDR5，并量产HBM3E，着手布局HBM4，持续拉开技术差距。

相较之下，长鑫存储成立仅十余年，至2025年才首度转盈，全球DRAM市占约4%。虽已量产DDR5与LPDDR5X，并计划切入HBM3，但在10奈米等级制程上仍落后2至3年，多停留在1z节点，而国际大厂已推进至1b、1c世代，在效能、功耗与成本上持续被拉开。

在NAND方面，差距相对较小，已能生产232层产品，虽仍落后三星与SK海力士的286–321层，但并非不可追赶。然而在HBM领域，在堆叠精度、散热与稳定良率上明显落后。多位韩国产业老将直言，半导体不是“有钱就会”，一旦错过世代转换，即便取得中低阶市占，也难以撼动高端格局。

～～记忆体产业的“速度感”更多来自行政动员，而非技术内生突破。在半导体这种以失败经验堆积成功率的产业中，体制擅长集中资源，却难以复制长期试错与客户磨合形成的隐性能力。“钱能买设备，但买不到产业积累和时间。”