这可以双重或三重目前的载客量的控制，或出示一20A条控制与一个单一的MOSFET。
同样地，用L-mosfets设计的线路不用Vbe（或Vgs）倍增器作温度补偿可以工作得非常好。
IGBT作为八十年代末，九十年代初迅速发展起来的新型复合器件，它将MOSFET和GTR的优点集于一身。
在硬开关里场效应晶体管的开启波形拐点并不和漏源极电压值同步。
在金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
增加的反射电压导致使用更高漏源极击穿电压的场效应晶体管和更大的开关占空比。
最后分析了磁性元件的特性，变压器，电感的设计和MOSFET开关器件的选型。
如果掺硅栏N，则MOSFET被称为N沟道器件。
MOSFET的晶体管一直很受欢迎，在此应用程序，因为它fullfils双方的要求，更好的话，双极型晶体管。
由于采用了内部MOSFET架构，所以不需要外部检测电阻器和隔离二极管。
LED电流检测脚。在主开关电路MOSFET的ISNS及GND脚间接入一个电阻可以对LED的最大电流进行设定。
本系统还包括开关控制电路，用于与三相电流同步切换MOSFET开关。
重点讨论MOSFET的高频寄生参数，包括栅电阻、衬底电阻、寄生电容等。
所有的半导体设备应该得到保护，免受静电放电，但MOSFET的themost负责建立一个杀费。
栅极引脚控制一个双N沟道MOSFET，以确保仅在OV和UV窗口内的电压通过并至输出。
如果反向保护不需要，那么仅需要单个外部MOSFET。
采用MOSFET逆变技术，电路简易，体积小，重量轻，高效节能。
使用单端反激变换器电路，用PWM信号控制开关管MOSFET。
应用本测试系统测试短沟道MOSFET和二极管散粒噪声，得到了较好的测试结果。
之前，该中心的焊锡铅每个MOSFET管，弯管，它超过对电动机得无影无踪。
牵头负责短路保护装置的建设和随后的灾难性放电电流的MOSFET。
其次，对CMOS射频集成电路中的重要元素—MOSFET的物理特性、噪声特性进行分析；
MOSFET的封装主要由晶圆切割，晶粒黏贴，焊线，封塑，切割成型这五大流程组成。
该多阈值场MOSFET具有阈值电压易于实现变化的特点。
使用逻辑级别的MOSFET还允许控制上运行，只有4细胞。
在许多高电压开关应用当中，都需要采用具有良好特性的体二极管且耐用性强的MOSFET。
因为它取决于一些工艺特点，很难准确预测阈值电压的场效应晶体管。
Allegro的A3901具有小巧精致的封装尺寸，低工作电压和低电压降MOSFET输出的特性。