我曾经听说，这（这里指噪音）正是CMOS传感器被认为不适合作为数码相机中的图像传感器的原因之一。
目前本设计已应用到光电器件CMOS图象传感器的数据传输并通过了FPGA原型验证。
传统CMOS图像探测器向充电申请电压光电二极管，并且接踵而来的光触发一些的发行那充电。
由CMOS（互补性氧化金属半导体）闩锁差动对所组成的延迟元件，可以藉由控制电压来改变它的延迟时间。
实验结果表明：此方法可以快速设计出满足性能指标的CMOS运算放大器。
通常来说，这种内存都称为CMOS，尽管它们并非严格要求使用这种技术来实现。
在CMOS工艺实现的数字电路中，瞬时能量消耗很大程度上取决于当前时刻处理数据的中间结果。
每个BiCMOS器件包含一个CMOS移位寄存器、随附的数据锁存和NPN恒流灌电流驱动器。
输出级可在传感器全频率响应范围内达到20mA，且与TTL和CMOS逻辑电路兼容。
本论文探讨CMOS积体电路于自动溼度感测的应用。
我们换了CMOS8051，不使用数字部分，让“转换结束”标志唤醒微处理器。
该传感器新的CMOS是适合于工业，电影，电视，交通监控和运动控制应用领域非常广泛。
本发明提供了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）装置及其制造方法。
它操作着每个片上CMOS器件的场效应晶体管元件。
考虑工艺偏差的CMOS两级运算放大器设计问题可建模成一个鲁棒性几何规划问题。
本文设计了基于标准的数字CMOS工艺的低噪声放大器和混频器。
本文提出一种新的基于生成的CMOS运放电路拓扑结构自动综合方法和模拟电路的数据阵列描述方法。
金氧半结构是一种存在于CMOS（互补式金氧半导体）制程中的基本的型式。
电位器是实施一个CMOS开关和电阻元件组合。
多路开关可以用机械开关或者固态器件（例如CMOS）开关构成。
首先我们来看看CCD或是CMOS的物理尺寸吧。
“CMOS”是一个共同半导体制造过程使用在多数芯片今天制作。
电力供应与带有互补金属氧化物半导体的微控制器单元的模拟要素的整合已经可用了数十年了。
芯科科技始终如一地推出CMOS工艺上实现的最佳产品，显著地改进客户的价值提案。
本文分析了纳米级CMOS电路的各种漏电流组成机制并提出了相应的降低技术。
阵列式光电传感器可以是CMOS图像传感器或CCD图像传感器或阴极射线图像传感器。
看来，生物芯片等新兴技术的应用将有助于问题的解决。
怎样用CMOS工艺设计高性能的射频模块就成了当前研究的热点。
系统（1）可以用CMOS实现，以及集成在电子产品的控制电路内。