11.95纳米!国产内存跨过“临界点” 9月20日,长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台正式量产,24GB LPDDR5X已进入国产主流旗舰手机。 长鑫G5平台将有源区半间距缩至11.95纳米,电容深宽比达45:1,核心功能区高度降至6762纳米,每片晶圆产出较上代提升超50%。副总裁骆晓东称,工艺能
11.95纳米!国产内存跨过“临界点”
9月20日,长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台正式量产,24GB LPDDR5X已进入国产主流旗舰手机。
长鑫G5平台将有源区半间距缩至11.95纳米,电容深宽比达45:1,核心功能区高度降至6762纳米,每片晶圆产出较上代提升超50%。副总裁骆晓东称,工艺能