11.95纳米！国产内存跨过“临界点”

9月20日，长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台正式量产，24GB LPDDR5X已进入国产主流旗舰手机。

长鑫G5平台将有源区半间距缩至11.95纳米，电容深宽比达45:1，核心功能区高度降至6762纳米，每片晶圆产出较上代提升超50%。副总裁骆晓东称，工艺能力已与业界最先进量产节点相当。

商业落地同步推进。努比亚NaviX Ultra已搭载长鑫10667Mbps LPDDR5X，小米18 Fold首发其LPDDR6芯片，峰值速率12800Mbps。

业绩层面，长鑫上半年营收1503.1亿元，净利776.05亿元。Counterpoint数据显示，其二季度全球DRAM份额升至10%，居第四。QUICK FactSet数据显示，其EBIT利润率82%，超SK海力士和三星。