韩媒嘲笑长鑫存储的HBM良率只有25%，相当于4颗里3颗是废品！SK花了4年才提升到90%！网友：长鑫速度不是韩媒能看懂的

摘自 大白聊IT

9月10日，韩国《朝鲜日报》报道，嘲讽中国最大DRAM厂长鑫存储（CXMT）的HBM良品率只有25%，“相当于4颗里3颗是废品”，说什么SK海力士花了4年才爬到90%的良率...

通常在半导体行业里，80%的良品率才能达到“能赚钱的量产门槛”。报道主要聚焦在TSV硅通孔多层堆叠上，要把裸片减薄、打孔、填铜、垂直叠8层，比普通的DRAM难出太多了，长鑫作为新玩家，交学费没问题的。

但韩媒没提的另一面是：长鑫这25%的良率，是试产阶段的正常水平。前端晶圆良率约30%，加上后端封装测试，综合下来就是20%-25%。更重要的是，样品已经送到了阿里平头哥、寒武纪、华为昇腾的验证线上。在AI算力被卡脖子的大环境下，“能做出来并且敢送样”这件事本身，比短期良率数字更有战略价值。

说白了，韩媒的镜头只对准“你现在不行”，故意不拍“你跑得有多快”：2016年长鑫成立时连17nm DRAM都要进口，2024年G4（17nm级）DRAM自研量产，2026年HBM3试产——这个节奏，放在全球存储圈，除了三家韩美巨头，没人跑得出来。

说白了，韩媒只盯着“你现在不行”，没说“你跑得有多快”。

长鑫2016年才成立，2024年实现G4（17nm级）DRAM自研量产，2026年HBM3试产。这个节奏，放眼全球存储行业，除了三家韩美巨头，没有别人跑得出来。

TSV这道坎也不是玄学。国内封测厂、设备厂、材料厂这几年都在围着HBM转，电镀液、临时键合胶、薄晶圆拿持、激光开槽，整条国产供应链正在成型。25%到50%再到80%，SK海力士走了4年，长鑫不一定也需要4年——因为背后是国产AI芯片的刚需订单在催着走，不是实验室里的自娱自乐。

韩媒嘲讽“废品率”，国产这边却赞扬“刚起步就敢往AI芯片供应链送样，追赶速度不是韩媒能看懂的”。

韩媒看到了技术代差和良率短板，国产这边看到了战略突破和市场入场券。

HBM这个东西，普通消费者用不上，但AI训练卡、推理卡、国产大模型全靠它喂数据。长鑫现在良率低了写，但假如未来美韩彻底断供后还有自己的火苗。

最后看看网友怎么说：

江西网友：我知道你很急，但是你先别急。

湖南网友：Z哥？

上海网友：这种机密怎么被韩国人知道了？😲

安徽网友：因为工厂里面请的都是韩国人啊😁

北京网友：爱谁买谁买吧，反正我也用不到😭

一位半导体行业官员解释说：“TSV工艺是一个只有经过多年积累的晶圆处理专有技术后才会稳定的领域。中国公司在DRAM本身的精细工艺技术上迅速缩小了差距，但TSV和键合等后端专有技术在短期内很难赶上。”

他补充说：“话虽如此，三星电子今二月初始HBM4（第六代HBM）生产良率也低于60%，并在六个月内提高到80%，因此现在宣称长鑫存储的25%良率是‘失败’还为时过早。”

长鑫的HBM3还在爬良率，所以鹿死谁手，尚未可知呢！