韩媒炒作长鑫HBM良率仅25%。拉踩唱衰中国存储产业。韩国自己的焦虑反倒藏不住。
韩国《朝鲜日报》近日爆料，长鑫存储生产HBM3良率只有25%，远低于行业平均，转头又夸SK海力士同类产品良率超90%。话里话外，还是想说中国存储不行、跟韩国差得远。
HBM确实是硬骨头。要把多层DRAM芯片摞起来，在几十微米薄的晶圆上打出数千个微孔、填铜形成垂直连接，一个孔偏了整颗芯片就报废。长鑫在出口管制背景下遇到困难，并不意外。但韩媒拿着详细的工艺和良率数据唱衰，这些信息显然不是“知情人士”能轻易拿到的，长鑫还没指责韩媒窃取数据，韩国自己倒先从周末起施行新法，向外国提供敏感技术最高判30年。
焦虑的根源不难理解。2026年开年DRAM和闪存价格双双创近十年新高，部分型号涨幅超300%，存储的“喉咙”卡在别人手里，中国整个消费电子产业都得跟着喘气。而长鑫已在LPDDR6上全球率先量产，长江存储向300层以上进发，长鑫全球DRAM份额已达10%，专利布局从奇梦达许可起步，十年搭建起全链条知识产权体系。
韩国产业通商部长官金正官8月感慨：“中国的发展速度超乎想象，这就是为什么我感到强烈的紧迫感。”这话比任何分析都直白。技术追赶从来不是一夜之间的事，京东方和华星光电已经证明过一轮。韩媒与其急着唱衰，不如先习惯一个事实：存储领域的追赶者，正在变成竞争者。