芯闻简讯：三星将五成4nm产能投入HBM4底层芯片生产

根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的50%左右。

HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分芯片位于多层堆叠DRAM晶粒下方，承担内存与计算核心之间的数据传输任务，并能够整合更多逻辑电路功能。

三星目前采用自身4纳米SF4工艺生产HBM4底层芯片，相关生产主要在平泽第二与第三园区的S5、S6产线进行。

据业内人士透露，目前三星4纳米产线已经接近满负荷运转状态，而其中约50%至60%的产能正被用于HBM4底层芯片制造，并预计这一比例将在未来数月内保持高位。

数据显示，2026年第二季度三星按营收计算的HBM市场份额已经达到38%，相比一年前约15%的水平实现大幅增长。

三星此前已经开始向客户提供HBM4样品，并计划在2026年下半年全面扩大出货规模。公司预计第三季度HBM4业务收入将较前一季度增长逾三倍，而在整个下半年，HBM4收入有望占到三星HBM总营收的60%以上。

分析人士认为，将一半以上先进4纳米产能投入HBM4底层芯片生产体现了三星对AI市场的强烈押注。随着英伟达下一代Rubin平台以及更多云计算企业定制AI芯片陆续进入量产阶段，HBM4很可能成为未来几年半导体产业增长最快的领域之一。