芯片制作背后的六大稀缺材料
芯片制造中公认的六大核心稀缺材料为：高端光刻胶、12英寸大硅片、高纯电子特气、超高纯溅射靶材、CMP抛光材料及磷化铟衬底。这些材料技术壁垒极高，全球产能高度集中，是制约先进制程量产的关键瓶颈 。
高端光刻胶（ArF/EUV）：芯片图形转移的“底片”，用于纳米级电路刻画。日本企业垄断全球90%以上市场，尤其是28nm以下制程所需的ArF浸没式和EUV光刻胶，国产化率极低（
芯片制作背后的六大稀缺材料
芯片制造中公认的六大核心稀缺材料为：高端光刻胶、12英寸大硅片、高纯电子特气、超高纯溅射靶材、CMP抛光材料及磷化铟衬底。这些材料技术壁垒极高，全球产能高度集中，是制约先进制程量产的关键瓶颈 。
高端光刻胶（ArF/EUV）：芯片图形转移的“底片”，用于纳米级电路刻画。日本企业垄断全球90%以上市场，尤其是28nm以下制程所需的ArF浸没式和EUV光刻胶，国产化率极低（
