传统CMOS图像探测器向充电申请电压光电二极管，并且接踵而来的光触发一些的发行那充电。
这使得光电二极管上收集的电荷包在像素本身进行评估并转换成电压。
长曝光时间之光电二极体（PDL）具有较高的感光度，但却会在较低的光强度等级达到饱和。
此外，光电二极管的漏电流和光电池的内部损耗也是其端电压的函数。
干涉仪的检测器臂指向平衡式光电二极管检测器的一个输入端。
互阻抗放大器用于将低位的光电二极管电流转换为可用的电压信号。
该掩模插在CT探测器的光电二极管阵列与闪烁体阵列之间。
一种光传感器、感光二极管、二极管层及其制造方法。
四象限雪崩探测器的角分辨力直接影响跟踪系统的跟踪精度。
文中探讨三个主题，矽发光晶片、矽光二极体、转阻放大器与限幅放大器。
在光控电路中使用光敏器件也以光敏二极管和光敏三极管为主。
扫频光源（SS）OCT使用波长扫频激光器光源，并使用平衡式光电二极管接收机作为检测器。
以光敏二极管和光敏三极管地伏安特征作为设计尝试地根底。
APC控制利用内接受光二极管，将其监测电流通过反馈网络与设定值比较，形成闭环负反馈控制。
首先针对单晶矽基板上传统型和增加p+延展区型光二极体进行讨论。
光敏晶体管有光敏二极管和光敏三极管两大类。
所以研究者们使用了一种新的技术-硅雪崩光电二极管探测器-在它们的新设备上。
由于具有这些明显优势，二极管阵列检测器在农药分析中有着极佳的应用前景。
然后，在光二极管感测区上形成自对准绝缘层，再于基底上形成保护层。
同时，已经研制了新的低躁声光电信号放大电路，将用于以后的灵敏度改进。
该分离的本征层可具有向内的倾斜侧壁以为单位像素聚焦射入光电二级管的光线。
每个节点有一个放大的光电二极管来感觉它上方周围的光线变化。
这个闪烁物可以吸收X射线并将他转化成可见光光子，然后进入光电二极管阵列。
当激光束从盘片上反射回来时会同时打到4个光电二极管上。
凝胶色谱和紫外光谱法对煤四氢呋喃抽提物的分析