韩国🇰🇷 : 中国最大的DRAM制造商长鑫存储科技（CXMT）对其超精细工艺技术充满信心。然而，国内业界评估认为，目前还无需担忧。

【商业韩国】报道 据业内人士21日透露，长城电子（CXMT）于当地时间19日在安徽合肥召开股东特别大会，宣布计划通过工艺创新突破超小型化工艺的技术瓶颈。会上，公司批准了一项总额达349亿元人民币（约合7万亿韩元）的投资计划，用于先进DRAM研发及后端工艺（测试和模块组装）。公司预测，受人工智能（AI）需求增长的推动，2025年至2030年间，DRAM市场年均增长率将达到38.4%。

长城电子近期也一直在提升产品竞争力。该公司宣布，其第五代DRAM工艺已于上月开始量产，其最新款低功耗DRAM（LPDDR6）移动内存也已应用于中国智能手机。今年前三季度累计营收预计将达到2650亿元至2700亿元人民币（约合52.6万亿至53.6万亿韩元），较去年同期增长七倍以上。

该公司还在积极研发下一代DRAM结构——4F²。4F²技术将晶体管垂直堆叠在单个单元内，从而在相同面积内容纳更多单元，理论上与现有的6F²结构相比，单元面积可减少约三分之一。CXMT宣布将在年内推出采用该结构的服务器DRAM产品，但并未透露具体规格或发布日期。

4F²技术也是国内企业一直在筹备的技术。去年6月，SK海力士在一次国际半导体会议上公布了下一代DRAM的路线图，将4F²技术应用于10纳米以下的工艺。据报道，三星电子计划在其首款10纳米以下DRAM中应用4F²结构，并于2028年实现量产。由于现有方法即可实现小型化，因此该技术被安排在下一代工艺中应用。然而，工艺条件存在差异。由于出口限制，CXMT无法进口用于精确蚀刻电路的极紫外（EUV）光刻设备。因此，该公司继续采用四重自对准图案化（SAQP）方法进行小型化，该方法通过多步绘制图案来减小线宽。一位半导体设备行业的负责人表示：“只能引进旧设备是一个主要的瓶颈。”鉴于与国内拥有EUV设备的厂商在工艺上的差距，业内人士认为，短期内市场格局的变化将十分有限。“CXMT的4F²技术研发确实进展迅速，但我们需要观察其量产可行性和良率，”一位国内存储器行业人士表示，“这无疑是最新技术，但目前还未达到可以讨论市场份额的阶段。”