韩国🇰🇷 : 三星为NVIDIA定制内存采购台积电3nm芯片…务实灵活的策略
【e4ds半导体】报道 三星电子决定采用台湾台积电的3纳米工艺来制造英伟达下一代定制内存半导体NVHBM的基础芯片。
专业信息技术媒体 The Next Web 报道称，三星电子设备解决方案( DS )部门在经过内部审查后，于10 月19 日（当地时间）接受了 NVIDIA 提出的标准化芯片基础工艺的要求。
标准化要求和减轻验证负担
NVIDIA要求整个内存供应链实现工艺标准化的直接原因是确保产品性能一致并降低验证成本。对于基于去年8月发布的第七代高带宽内存（HBM4E）设计的定制规范NVHBM ， NVIDIA提议三星电子、SK海力士和美光这三家供应商均采用基于台积电3nm工艺的基础芯片。对于顶层堆叠式内存芯片， NVIDIA则强制要求采用1c规范，即第六代DRAM技术。
如果不同供应商采用不同的芯片工艺，即使设计相同，芯片特性也可能存在差异。标准化底层逻辑工艺可以减轻英伟达单独验证各公司产品的时间和成本负担。三星电子和台积电的此次合作标志着双方的再度携手，四年前，双方曾合作进行芯片适配工作，使三星电子的HBM芯片能够与台积电的封装生产线兼容。
考虑控制器物理传递和工艺大规模生产能力
底层逻辑芯片的结构变化以及先进工艺的量产稳定性也被认为是影响这一决策的因素。NVHBM采用了一种将内存控制器移至底层芯片的设计，以扩展GPU内部的计算区域。因此，与标准规格相比，其与其他半导体通信的物理层面积减少了60% ，同时带宽提高了30%，功耗降低了15% 。 由于底层芯片的电路复杂度急剧增加，确保生产可靠性已成为一项关键挑战。 据半导体行业估计，台积电的3nm工艺已进入成熟阶段，并实现了稳定的量产良率，而三星电子的先进工艺仍在提升下一代良率的过程中。对于必须满足客户交付期限的内存业务部门而言，选择具有成熟稳定性的代工厂工艺是一个务实的决策。
确保内存利润并对冲内部代工厂
此举被解读为三星电子为 巩固其在内存市场的主导地位而灵活调整其现有一体化内存和代工供应模式的决策。
据金融投资行业人士透露，瑞士投资银行瑞银预测，2027年全球HBM需求将达到615亿Gb，较上年增长91% 。然而，制造商的总供应量预计将维持在546亿Gb，导致约10%的供应缺口。面对供应瓶颈，抢先进入英伟达的供应链有利于维持DRAM生产线的利用率。但这 并不意味着三星电子将完全放弃其自主研发的交钥匙模式。三星电子计划继续采用基于4nm工艺的芯片生产标准HBM4和HBM4E产品系列，同时通过其自有代工生产线为AMD等其他客户提供定制化产品。
此外，为应对台积电在先进生产线上的垄断地位可能导致的交付延迟，该公司正同步利用其自主研发的2nm工艺进行NVHBM基片验证。此举旨在通过满足客户的标准规格要求来确保交付稳定性，同时提升其内部代工工艺的成熟度，从而确立自身作为替代供应链的地位。
