台积电计划在2030年采用阿斯麦（ASML）新一代高数值孔径（High-NA）光刻机，并推动全行业扩大光掩模尺寸。据《日经新闻》报道，台积电此前因成本考量一直未引入High-NA设备，而英特尔已在生产中使用该技术。与此同时，台积电与阿斯麦还发起了一个行业合作项目，计划将光掩模从6英寸方形扩大到12英寸，并研发与之匹配的High-NA光刻设备和材料，目标是在2031年建成大掩模中试线，2033年实现配备大掩模的High-NA设备用于最先进制程量产，目前已获得多家主要芯片厂商和掩模厂商的关注。High-NA光刻虽然能曝光更精细的电路图案，但单次曝光面积只有标准EUV光刻机的一半，大尺寸芯片需要拼接曝光，增加成本；而12英寸大掩模有望恢复曝光场尺寸，使经济性达到台积电可大规模量产接受的水平。台积电董事长魏哲家表示，此举旨在汇聚行业力量，让技术得到更广泛的应用。这与三星加入同一大掩模联盟、计划2028年将High-NA用于DRAM存储器生产，以及英特尔High-NA晶圆产量已突破100万片的进展相呼应。至此，三大巨头都有了明确时间表：英特尔已率先量产，三星瞄准2028年的存储器应用，台积电则计划2030年将High-NA用于逻辑芯片，并于2033年完成大掩模方案。