韩国🇰🇷： 美国美光科技HBM产能翻番……与三星和SK的差距正在缩小

【首尔经济日报】报道 美国公司美光科技（Micron）计划将其高带宽内存（HBM）产能较上年翻一番。该公司计划在年底前进行大规模的设施投资，以增强其最新12层HBM4的供应能力。此举旨在通过提升HBM产能来扩大市场份额，目前美光的HBM产能落后于三星电子和SK海力士。

据业内人士3日透露，美光计划在今年年底前将其HBM产能每月增加至多6万片晶圆。去年，美光的HBM月产量在4万至5万片之间，这意味着今年的净增产量将超过这一数字。一位熟悉此事的业内人士表示：“美光正在推进大规模的设施投资，以迅速提高其 HBM4 产能。”他还补充道：“到今年年底，该公司将确保 HBM 的月产能达到约 10 万片晶圆。”

为确保产能，美光正在增加对多家HBM制造设备供应商的采购订单。据悉，连续生产设备正陆续交付至其位于台湾和新加坡晶圆厂的HBM生产基地。

预计HBM4 12层芯片的产量占比将显著提升。目前，HBM3E 12层芯片占据了美光HBM总产量的大部分。尽管今年年初HBM4 12层芯片的产量占比仅为20%至30%左右，但据报道，到年底这一比例将上升至50%。

全球最大的人工智能半导体公司美光科技（Micron）正在将12层HBM4芯片应用于英伟达（Nvidia）最新的AI加速器“Vera Rubin”中。美光科技于今年第二季度开始量产12层HBM4芯片。

此前，美光科技首席执行官桑杰·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）在去年6月发布的2026年第三季度财报中表示，公司正在“以大约是12层HBM3E两倍的速度提升12层HBM4的量产能力”，并补充说“HBM4的累计出货收入已超过10亿美元”。尽管美光科技是全球三大HBM芯片制造商之一，但其产能仍不及三星电子和SK海力士。业内估计，三星电子和SK海力士的HBM芯片产能是美光科技的三到四倍（每家公司大约15万到20万片晶圆）。从美光的角度来看，除非其产能赶上三星电子和SK海力士，否则很难摆脱“永远的第三名”的局面。

如果美光今年能够实现其HBM产能目标，那么与三星电子和SK海力士的产能差距可能会缩小到目前的一半。

美光扩大HBM产能也证明了市场对AI内存的强劲需求。由于以英伟达为首的AI半导体制造商正在大量采购HBM，目前供应仍然无法满足需求。在这种情况下，要实现HBM利润最大化，就需要产能支持——也就是产能。

美光目前正在全球范围内投资建设HBM生产设施。在美国以外，HBM封装业务正在台湾的科鲁晶圆厂和新加坡的兀兰晶圆厂进行，该公司还准备在日本广岛投资建设相关设施。

根据Counterpoint Research的数据，SK海力士在今年第二季度以50%的市场份额位居全球HBM市场份额榜首。三星电子占比 32%，美光占比 18%。