近段时间来，一场席卷全球的存储芯片短缺危机正愈演愈烈，其持续时间之长、影响范围之广，远超市场预期。

进入2月，英特尔首席执行官陈立武在思科 AI 峰会上抛出重磅预警：全球存储芯片短缺局面至少将持续至 2028 年，这一时间线较此前行业预测再度拉长，给依赖存储芯片的科技产业蒙上一层厚重阴影。

这并非危言耸听。当前，人工智能产业的爆发式增长正掀起一场史无前例的 “算力军备竞赛”，数据中心的扩张速度呈指数级攀升，直接引爆了存储芯片的需求。

陈立武直言，英伟达即将推出的新一代人工智能加速器 Vera Rubin 平台，将成为压垮存储供应链的又一根 “稻草”，因为该平台 “会消耗海量存储芯片”，进一步加剧供需失衡。

事实上，这场短缺危机早已呈现出 “结构性失控” 的特征。全球 EDA 和半导体 IP 龙头新思科技首席执行官 Sassine Ghazi 也发出警示，他指出存储芯片紧缺态势将贯穿 2026-2027 年，核心原因在于三星、SK 海力士、美光科技等头部厂商的产能，正被 AI 基础设施需求 “疯狂吞噬”。

为满足高带宽存储器（HBM）这类 AI 大模型必需组件的生产，三大存储巨头不得不将大量产能从传统 DRAM 和 NAND Flash 转向 HBM，而 HBM 每比特容量消耗的晶圆产能，是传统 DRAM 的 3 倍之多。

供需缺口的持续扩大，直接催生了存储芯片价格的 “超级暴涨周期”。集邦咨询（TrendForce）在最新报告中，全面上修 2026 年第一季度存储芯片价格涨幅：整体 Conventional DRAM 合约价季涨幅从 55-60% 飙升至 90-95%，NAND Flash 合约价季涨幅也从 33-38% 上调至 55-60%，且不排除进一步上调的可能。

细分市场更甚，该机构预计 PC DRAM 价格季涨幅将突破 100%，Server DRAM、Mobile DRAM 价格涨幅也逼近 90%，均创下历史新高。

在这样的背景下，存储市场的 “卖方霸权” 已然成型。分析师普遍认为，三星与 SK 海力士主导的卖方市场格局将长期延续，下游厂商不仅面临成本飙升的压力，更要为争夺配额展开激烈竞逐。

反映在资本市场上，美股存储板块已率先沸腾，西部数据追加 40 亿美元回购额度后股价大涨 7.4%，闪迪股价上涨 4.55%，双双刷新历史高点——资本用脚投票，印证了存储芯片的稀缺价值。

面对这场旷日持久的存储荒，英特尔选择主动破局。陈立武在峰会上同时宣布，公司将正式进军由英伟达垄断的 GPU 市场，这一决策被外界视为英特尔的 “战略突围之战”。

据悉，英特尔已从高通挖来 GPU 专家 Eric Demers 担任高级副总裁，主导 GPU 设计；该项目由英特尔数据中心部门执行副总裁 Kevork Kechichian 统筹，后者正是去年从 Arm 跳槽而来的行业资深人士。

英特尔的野心不止于此。陈立武强调，GPU 开发与数据中心业务深度绑定，公司将通过自主设计 GPU，强化在人工智能半导体领域的话语权。与此同时，英特尔的晶圆代工业务也在加速推进，其 14A 制程技术（1.4 纳米级先进工艺）已吸引多家客户合作，试图借先进制造能力重振昔日荣光。

值得注意的是，当前 GPU 市场呈现高度垄断态势，英伟达凭借超 80% 的人工智能加速器市场份额，牢牢掌控着行业话语权，且包括英伟达在内的主流 AI 芯片厂商，大多依赖台积电代工。英特尔此时切入 GPU 赛道，不仅要直面技术壁垒，更要挑战台积电的代工霸权，这场突围战注定荆棘丛生。

从行业周期来看，过去存储芯片市场总是在 “短缺 - 过剩” 之间循环，但这一轮由 AI 驱动的需求，被普遍认为具有结构性和持久性。

也许正如 Sassine Ghazi 所言，“现在对存储芯片厂商来说，是一个黄金时代”，但对全球电子产业供应链而言，这场始于 AI 的存储荒，带来的挑战才刚刚开始。