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消息面财联社11月4日电，今年10月，全球DRAM（动态随机存取存储器）合约均价再度刷新历史最高纪录，与此同时，NAND闪存均价也延续上月的最高价位水平。机构预测显示，今年第四季度DRAM价格有望保持环比上涨态势；而在NAND闪存领域，MLC（多层单元）闪存和SLC（单层单元）闪存的价格走势将出现分化。


从“半导体周期回暖与景气度回升”视角看此次DRAM均价刷新历史最高纪录，是半导体存储行业景气度持续回升的直观信号。此前半导体行业经历了去库存的艰难周期，当前核心存储芯片价格的强势上扬，标志着行业基本面已经发生实质性逆转。DRAM作为半导体的“风向标”，其量价齐升（或价涨企稳）的局面，预示着全球半导体市场已彻底走出低谷，正式进入新一轮的上行周期。这对于整个电子信息产业的重启增长具有积极的引领和带动作用。


从“存储产业链业绩预期与估值修复”视角看存储芯片作为强周期大宗商品，其价格弹性直接决定了产业链相关公司的业绩爆发力。当前DRAM和NAND价格双双处于高位且呈现延续态势，将直接为上游芯片原厂（IDM）、中游模组厂商带来丰厚的利润增长空间。在业绩高增的预期下，市场资金往往会提前布局半导体存储板块，推动相关产业链公司的估值修复和股价上行。


从“供需错配与厂商定价策略”视角看存储价格的持续强势，本质上是市场供需关系的重新平衡以及原厂的主动策略调整。随着AI服务器、高端智能终端等需求的快速释放，对高性能DRAM（如HBM等）和NAND闪存的需求激增，导致局部供应紧张。与此同时，存储原厂在经历了前期的亏损后，通过主动减产和控制出货节奏，成功将定价权重新掌握在自己手中。这种由供给端主动优化带来的价格坚挺，具有更强的延续性和确定性。

从“技术路径分化与产品结构升级”视角看机构预计四季度NAND闪存中MLC和SLC价格走势将出现分化，这凸显了存储行业内部结构性变化的趋势。随着AI和高性能计算（HPC）场景的爆发，企业级SSD和高端存储设备对高耐用、低延迟的SLC闪存需求激增，支撑了其价格的稳健；而面向普通消费电子的MLC闪存则受市场需求波动影响更大。这种分化表明，未来存储市场的竞争将不仅仅是规模之争，更是高技术门槛、高附加值产品的差异化竞争，利好具备高端产能和技术储备的企业。