SEM、TEM、XRD、XPS 等核心材料表征技术各技术的信号产生、图谱解析逻辑及应用场景SEM的核心是的过程,依赖电子与样品表层原子的相互作用。kV加速后,通过聚光镜系统聚焦为直径纳米级的电子束。

聚焦电子束扫描样品表面时,与表层5-1000二次电子SE和背散射电子BSE1)二次电子SE
eV以下,仅来自样品表层5-10凸起处电子逃逸概率高,信号强,图像亮;凹陷处电子易被遮挡,信号弱,图像暗DOI:10.1021/acs.chemrev.4c00831。
电子束中的部分电子与样品原子的原子核发生弹性碰撞,被反弹回来形成背散射电子。其能量接近入射电子能量,来自样品表层100-1000BSE2原子序数越高,原子核质量越大,电子反弹概率越高,信号越强,图像越亮SEM的分辨率由电子束波长和透镜系统共同决定为分辨率,单位nm,越小越好;λ为入射电子束的波长,单位nm;β为透镜的数值孔径,与透镜设计相关;α为电子束与样品表面的入射角,单位rad。

电子束波长λh为普朗克常数,m为电子静止质量,e为电子电荷,U为加速电压,电子束波长越短,分辨率越高。
过高电压会导致样品表面原子溅射,损伤样品,还可能激发过多无关信号,因此需在分辨率与样品保护间平衡TEM与SEM的本质区别是,利用电子的透射和衍射效应,实现材料内部结构乃至原子排列的观测,核心依赖电子的波动性。
kV加速后,形成高能电子束,波长可达0.0025nm的超薄样品。电子束穿透能力有限,;


电子束穿透样品时,会发生三种现象——。弹性散射电子遵循布拉格衍射规律,非弹性散射电子则携带样品的化学信息;透射电子与散射电子在物镜后焦面干涉形成衍射花样,再经中间镜和投影镜放大,最终在荧光屏或探测器上形成图像。
HRTEM能观察到原子级晶格条纹,核心依据是布拉格衍射定律为晶体的晶面间距,单位nm,晶体结构的特征参数;θ为电子束的衍射角,单位rad;n为衍射级次,n=1,2,3…,通常取为入射电子束的波长,单位nm。
θ照射晶体时,只有满足上述方程的晶面,才能使散射电子产生相长干涉,形成强衍射信号。在HRTEM图像中,。通过测量晶格条纹间距,可直接确定晶体的物相。

SAED是TEM的重要附加功能,用于分析局部区域的晶体结构μm,仅让该区域的电子参与衍射,形成衍射花样;
,每个斑点对应一组晶面的衍射信号,,不同晶粒的同一组晶面对称衍射形成,无定形材料则无明显衍射信号,仅呈现弥散的背景。
DOI:10.1021/acs.nanolett.1c01985。
X射线衍射XRD 核心机制
“晶体对X射线的相干散射”通常采用,通过高压激发Cu原子的内层电子跃迁,释放出特征X射线,Cu K射线,波长λ=0.154 nm,该波长与大多数晶体的晶面间距0.1-1DOI:10.1021/acsami.0c21791。
当干涉满足相长条件时,形成强衍射峰;相消时则无信号,这一过程称为相干散射;
的变化被探测器记录,形成XRD图谱,图谱中的衍射峰位置、强度、宽度分别对应晶体的不同结构特征。
核心公式
d,。因此,衍射峰的位置2θd的函数,而d是晶体结构的特征参数,不同物相的d值不同,如同“指纹”一般,可用于物相识别。
值,代入布拉格方程计算出对应的值对比,。

XRD图谱的衍射峰宽度不仅受仪器因素影响,还与样品的相关,通过以下公式可定量分析:
为晶粒尺寸,单位nm;K为形状因子,与晶粒形状相关,通常取0.89;λ为X射线波长,单位nm;β为衍射峰的半高宽,单位rad,需扣除仪器宽化效应;θ,单位rad。
,因此通过峰宽可反推晶粒尺寸,这也是纳米材料晶粒尺寸表征的常用方法。

(2)晶格应变

ɛ;Δd为晶格畸变导致的晶面间距变化,单位nm;d为无畸变时的晶面间距,单位nm;β为衍射峰半高宽,单位rad;θ为衍射角,单位rad。
,反映在XRD图谱中就是衍射峰偏移,同时峰宽可能增加,通过该公式可定量计算晶格应变的大小。

XPS的本质是,利用X射线激发样品表面原子的内层电子,通过测量光电子的结合能,分析样品的表面元素组成、价态及键合方式,核心依赖光电效应。
只有表层1-10,因此XPS是一种表面分析技术,仅反映样品表层的化学状态。

单色X射线,常用Al K射线,光子能量被原子的内层电子吸收,;
图谱中的特征峰位置对应元素种类和价态,峰强度对应元素含量。
核心公式
结合能方程:

E为电子的结合能,单位eV,原子的特征参数;hν为入射X射线的光子能量,单位eV,已知常数;E为光电子的动能,单位eV,仪器测量值;Φ为仪器的功函数,单位eV,固定值,测试前通过标准样品校准。
b不同元素的内层电子结合能不同DOI:10.1021/acsami.9b01761。
E为结合能偏移量,单位eV;Δq为原子的电荷变化,单位e,>0表示原子失去电子,电子的结合能并非固定值,会随原子的化学环境变化而偏移,这一现象称为化学位移此外,,因此可通过化学位移分析原子的键合方式。

XPS高分辨谱是解析价态和键合方式的关键,同一元素的不同价态对应不同的结合能,;不同化学键对应的电子云密度不同,导致结合能存在差异,可区分不同键合方式的氧物种,进而分析样品的表面化学结构。
