中国大陆近期在极紫外光（EUV）曝光机领域的进展引发关注，甚至有说法将其称为“中国版曼哈顿计划”，外界猜测或动摇荷兰ASML的全球主导地位。

外媒披露，大陆已成功生产EUV原型机。（示意图）

对此，ASML CEO富凯（Christophe Fouquet）接受荷兰《电讯报》专访回应，明确技术差距与时间尺度。

富凯指出，中国已8年无法获取EUV设备，制程世代“落后8代”，且ASML未发现中国EUV技术接近现行水准的证据。

他强调，EUV是高度复杂的系统工程，需长期积累，中国因长期无法接触关键设备与生态，落后幅度显著。即便外界认为3年可追赶，ASML判断这更可能是“10年问题”。

不过，富凯未否定中国半导体整体进展：中国聚焦主流芯片（技术门槛较低），已取得一定成果；庞大的资金投入正逐步影响全球产业平衡，但这不等同于跨越EUV最高门槛。

针对美国担忧“技术差距扩大或促中国自建体系”，富凯表示，EUV领域未见中国接近核心水准的证据；但低门槛领域，中国已在追赶。

此外，ASML已与高层级主管机关沟通，向政策制定者说明EUV技术的复杂性及研发长周期，助力外界基于技术本质判断。