碳化硅解决方案开发商 SemiQ 公司 宣布，进一步扩展其第三代 QSiC MOSFET 产品线。新产品据称在电流密度和热阻方面均达到了行业领先水平。
此次发布共推出了七款器件，包括采用高电流 S3 半桥、B2T1 六单元（六-pack）以及 B3 全桥封装的模块。
🚀 核心亮点：608A 半桥与极致散热此次产品扩展旨在满足高功率系统对超高效率转换的日益增长的需求，其核心特性如下：
极致电流能力： 新品中的 S3 半桥模块（标准 62mm 封装）实现了高达 608A 的电流能力。
业界领先的热阻： 该系列模块在 S3 半桥封装下的结到壳热阻（Rth(j-c)）低至 0.07°C/W。这一优异的热性能使得系统设计可以大幅简化散热需求，提升功率密度。
超低导通电阻： 全桥模块的导通电阻（RDSon）最低可达 8.6mΩ。
📦 三大产品系列详解表格
产品系列关键规格目标应用S3 半桥模块608A 电流能力，热阻 0.07°C/W高功率密度牵引逆变器、储能系统B2T1 六单元模块RDSon 范围 19.5 至 82mΩ将三相功率级集成于紧凑外壳，优化布局，减少寄生参数B3 全桥模块120A 电流能力，热阻 0.28°C/W单相逆变器、高压直流-直流（DC-DC）系统🛠️ 第三代技术优势SemiQ 的第三代芯片技术在可靠性和效率上均有显著提升：
更低的栅极电压： 得益于第三代芯片 18V / -4.5V 的栅极电压设计，模块可在比前代产品更低的栅极电压下运行。
双重损耗降低： 与前代产品相比，SemiQ 第三代技术可将比导通电阻（RONsp）和关断能量损耗（EOFF）均降低 30%。
严苛的筛选测试： 所有器件均经过晶圆级栅极氧化层老化测试（Wafer-level gate-oxide burn-in），以保证栅极氧化层的质量，并且经过了超过 1350V 的击穿电压测试，确保了器件在高压应用中的可靠性。
这些新产品旨在通过更高的效率、更低的损耗和更强的散热能力，推动电动汽车、工业电源及可再生能源领域功率系统的进一步优化。
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