先进封装再迎国产利器！中微全新等离子切割机正式发布交付：最小仅5微米切割道打破传统切割局限！
新大陆计划 就在2026年11月10日，中微半导体设备（上海）股份有限公司官宣了一款重磅新品，推出Primo Matrix双反应台等离子体晶圆切割设备，同时对外确认，这台设备的首台样机已经顺利发往国内一家重点集成电路封装客户手里，消息一出，在半导体设备圈子里引起不小的讨论。
很多人都知道，现在先进封装已经成了延续摩尔定律非常关键的一条路线，而晶圆切割又是封装流程里绕不开的一环。以前行业里大多用的是机械切割的方式，这种办法有很明显的短板，切割的时候很容易让晶圆产生微裂纹，还会带来热损伤，放到现在高密度、超薄晶圆的先进封装场景里，很容易拖累芯片良率，等离子体切割也就成了行业里用来解决这类痛点的核心工艺，中微这次交付，也代表国产等离子体切割设备，在先进封装这条赛道上，正式迈出了可以规模化落地的关键一步。
这款Primo Matrix并不是凭空研发出来的，它依托中微已经经过市场验证的Primo成熟平台打造，整机集成了双反应台刻蚀腔室还有配套的晶圆传输模块，硬件扩展性很强，一套系统最多能够搭载6个刻蚀反应台，面对那些耗时比较久的工艺也能稳稳hold住，帮封测工厂拉高整体产能。在工艺指标上，它的亮点很突出，设备最小支持5微米的切割道宽度，对比传统方案，能省下大量晶圆面积，同一片晶圆上面可以产出更多芯片，直接提升收益。同时它适配的晶圆厚度区间很宽，25微米到700微米都能加工，不管是减薄之后的超薄晶圆，还是常规厚度晶圆的切割需求，全都覆盖得到。
兼容性方面它也考虑得很周全，主力适配300毫米大晶圆，同时向下兼容200毫米的工艺。像带凸点晶圆正面等离子切割、激光开槽之后的二次切割、晶圆背面刻蚀，还有介质层硬掩膜开口刻蚀这些行业里常用的工艺，它都能够支持，适配的封装场景非常丰富。
这款设备能做到这么强的指标，底气来自中微常年在等离子刻蚀领域的技术积累。熟悉半导体的朋友应该清楚，中微的刻蚀技术一直处于国内第一梯队，介质刻蚀深宽比最高做到60：1、90：1，硅刻蚀更是达到140：1的高水平，这次用到的双反应台技术还是行业首创，加工精度可以做到0.2纳米，差不多是一根头发丝直径的三十万分之一，这个精度放在先进封装里，完全够用。
还有一组很有分量的数据，截至2026年9月底，中微公司累计已经有超过9300个反应台，落地在全球220多条产线当中实现量产。这次Primo Matrix的发布和交付，相当于把中微的设备版图再拓宽了一块，不再只聚焦前道刻蚀，正式切入先进封装切割这个细分赛道，给国内芯片微型化发展，补上了一台高精度、自主可控的国产设备，以后国内封测厂在高端晶圆切割工艺上，也多了一份国产化的选择。