长鑫G5平台落地，实际表现到底怎么样？

2026世界制造业大会上，长鑫存储正式官宣第五代DRAM平台G5实现量产，依靠DUV四重曝光技术，把内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，不用EUV光刻机，就拉近了和国际头部厂商量产制程的差距 。

从核心指标来看，G5平台电容深宽比达到45:1，搭配高介电常数金属栅工艺，压缩核心功能区高度，在缩小芯片尺寸的同时保障存储稳定性。对比上一代G4平台，同等基准下单片晶圆产出裸片数量提升至少50%，存储密度大幅提升，能效与成本控制具备明显潜力 。

基于G5平台打造的24Gb LPDDR5X芯片已经进入规模量产，单颗容量相比上代提升50%，两种不同封装规格，适配中高端手机、便携电子产品。这套平台不只是单一一款内存产品，后续DDR5、服务器内存等产品，都可以依托G5平台开发，产品延展性很强 。

客观来看，G5标志国产DRAM工艺迈上全新台阶，但现阶段仍处在良率持续爬坡、下游客户深度认证阶段。技术指标达标、实现量产，不等于马上大规模放量。后续良率持续提升、终端客户大批量导入，还需要一段时间打磨。

整体而言，G5验证了国内依靠DUV路线持续推进DRAM微缩的可行性，完善国产存储产业链，增强存储供应链自主可控能力，是合肥半导体产业的重要成果。长期看，随着良率稳步提升，国产内存有望在消费电子等市场进一步扩大份额。

【信息来源：长鑫存储官方发布】
长鑫存储 G5平台 国产DRAM 半导体 合肥新质生产力