存储芯片行业最近有点热闹。

前不久，国产存储厂商长鑫宣布在4F² DRAM技术上取得进展，还计划今年推出采用该技术的服务器DDR5内存。

结果10月21日，美光在技术研讨会上，直接给4F²路线泼了一盆冷水。

美光称，自己研究这项技术已经20多年，最终认为它在复杂度、成本和后续微缩方面都存在问题，没有可行的长期规模化路径。

4F²到底是什么？

简单理解，就是把DRAM存储单元占用的面积进一步缩小。相比传统的6F²设计，理论上单元面积能减少约三分之一。

听起来很诱人，同样大小的芯片，有机会塞进更多存储单元。

但美光提出了另一个问题：决定DRAM实际存储密度的关键，还有电容的尺寸和间距。单元布局缩小，不代表最终密度就能按比例提高。

美光的判断是，继续折腾4F²，可能付出更多制造成本，却换不来足够大的收益。

它选择继续推进6F²工艺，同时准备向3D DRAM过渡。

长鑫正在推进的技术路线，美光研究多年后选择放弃。

当然，美光的判断也不能直接证明4F²走不通。长鑫能否把技术优势转化成量产优势，还得看后续的良率、成本和实际产品表现。

但现在双方的分歧已经很清楚了：面对DRAM越来越难缩小的问题，是继续在平面布局上做文章，还是把更多希望放在3D堆叠上？

这场技术路线之争，后面恐怕还有得看。

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