长鑫存储4F² DRAM架构取得关键进展，将于年底推出搭载VSG垂直栅、4F²单元与混合键合的新一代DDR5。4F²是单元面积规格，非工艺节点，相比主流6F²面积更小、密度提升约50%。其通过垂直晶体管突破传统二维缩放瓶颈，属于全架构平台级升级，与三星、SK海力士前沿路线一致，量产落地将是核心竞争力关键。
长鑫存储4F² DRAM架构取得关键进展，将于年底推出搭载VSG垂直栅、4F²单元与混合键合的新一代DDR5。4F²是单元面积规格，非工艺节点，相比主流6F²面积更小、密度提升约50%。其通过垂直晶体管突破传统二维缩放瓶颈，属于全架构平台级升级，与三星、SK海力士前沿路线一致，量产落地将是核心竞争力关键。
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