InP磷化铟概念迎来催化！高速光模块核心材料梳理
假期光通信赛道传来重要消息，FCC拟针对下一代3.2T光模块出台新规，存量800G/1.6T短期暂不受影响。市场分析认为，磷化铟（InP）衬底供给，或将成为未来大规模AI算力建设的核心瓶颈，磷化铟产业链关注度快速提升。
磷化铟是高速光模块激光器、探测器芯片的核心基底材料，是3.2T及以上高速光通信不可或缺的关键半导体材料。国内多家上市公司已经布局磷化铟衬底、晶片、外延片等环节。
云南锗业控股子公司可生产磷化铟晶片，用于光模块激光器与探测器芯片，年产15万片2-4英寸磷化铟晶片；兴业科技拟收购青岛昂立，布局2英寸、3英寸磷化铟衬底；光智科技实现“高纯铟-磷化铟多晶-单晶-衬底”全链条布局，2/4英寸衬底已小批量量产，6英寸产线在建。宿迁联盛、海川智能等企业也在投建磷化铟晶片、衬底产能，补齐国内供应链短板。
外延片、上游材料环节同样有不少标的。三安光电磷化铟外延、芯片制造工艺国内领先，具备6英寸InP光芯片量产能力；南大光电布局MO源，是制备磷化铟的关键前驱体材料；兴发集团攻关电子级红磷，为磷化铟提供核心原材料。铭普光磁、华工科技布局磷化铟相关芯片封装与新材料研发；江丰电子收购凯德石英，切入通美晶体产业链。上游铟资源企业，锡业股份、飞南资源等为产业链提供原料保障。
AI算力持续扩容，高速光模块迭代加速，磷化铟作为底层材料，长期成长空间值得关注。但要注意，半导体衬底研发周期长，产能释放缓慢，海外政策变化也会带来不确定性。
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