MRAM，下一代存储的备选路线？
MRAM利用磁隧道结存储数据，断电不丢，读写速度接近SRAM，耐久性远高于NAND。

PCM通过相变材料电阻变化存储数据，同样非易失。

两者都被视为新型存储的候选路线。

据行业信息，2026年全球MRAM市场约10-15亿美元，规模远小于DRAM和NAND。

主要玩家包括Everspin、台积电、三星、中电海康等。

国内中电海康在MRAM领域有布局，部分产品进入验证阶段。

PCM方面，英特尔Optane已退出，但在军工、工业等特定场景仍有应用。

新型存储不会取代DRAM和NAND，而是在高可靠、宽温、抗辐射场景作为补充。

军工、车规、工业控制是主要落地场景，这些场景对成本敏感度低，对可靠性要求高。
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