《后摩尔时代的界面工程：SiC/SiO₂沟道的原子级驯化》碳化硅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的理论性能优势长期受制于一个核心瓶颈——SiC/SiO栅氧界面的高缺陷密度。 ​