全球首款碳化硅超结MOSFET发布：中国功率半导体从跟随走向原创
9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超结MOSFET成果发布会”在上海举行。瑶芯微电子与中国科学院院士郝跃团队联合攻关，携手芯联集成完成工艺平台开发，正式发布全球首款碳化硅超结MOSFET产品。该器件实现1635V超高耐压，在室温和175℃高温环境下，比导通电阻分别达到1.27毫欧·平方厘米和1.5毫欧·平方厘米。业内认为，此次发布标志着中国企业在下一代碳化硅功率器件技术竞争中实现从“跟随对标”向“原创突破”的转变，为新能源汽车、AI数据中心、高效能源转换等战略产业提供新的技术支撑。根据Yole数据，2025年全球碳化硅功率器件市场规模约37亿美元，预计2030年将突破100亿美元。
老子曰：“反者道之动。” 中国碳化硅产业从“跟跑”到“并跑”再到“领跑”，正是“反者道之动”的生动实践。瑶芯微电子与院士团队历经五年联合攻关，从理论模型到器件设计，从工艺调试到产品验证，最终实现产业化突破。碳化硅正从新能源汽车单一场景向AI算力供电、智能电网等多元赛道全面扩展。
碳化硅 超结MOSFET 国产替代 AI算力