ASML 联合台积电、三星和英特尔推动光刻掩模从 6 英寸升级至 12 英寸，核心是为了解决 High NA EUV 光刻机带来的“半场拼接”问题

在新的 0.55 NA 系统下，镜头缩小倍率改变导致单次曝光面积缩减了一半（仅 26×16.5 mm）。若沿用 6 英寸掩模，制造大芯片就必须曝光两次进行“拼图”，这会导致扫描时间翻倍、生产效率大幅下降。换用 12 英寸掩模后能增加一倍的扫描行程，重新恢复单次全场曝光（26×33 mm），彻底消除拼接边界并保障产能

在量产规划上

三星计划率先于 2028 年将 High NA EUV 用于先进 DRAM 内存生产

台积电则计划从 2031 年开始将其导入先进逻辑制程

各方将在 2031 年前建设 12 英寸掩模试点线，为 2033 年的全面投产做好准备。这一升级也将同步带动上游石英基板、掩模写码与检测设备，以及晶圆厂自动化传送系统的全面重构