台积电，重磅突破，为告别硅做准备投资达人说 为了突破摩尔定律极限，半导体制程后续进入1纳米以下时，探索新材料为必然的路径，二硫化钼成为备受瞩目的新材料，预计在约1纳米以下的0.7纳米（A7制程） / CFET 时代导入。包括应用材料、阿斯麦（ASML）、AIXTRON、ASM International及Lam Research等半导体设备巨头都积极投入研发对应二硫化钼新材料的设备与技术需求，透露其获得重视的程度。众所周知，手机、电脑甚至未来的AI智慧装置，都需要运算速度更快、耗电更低的半导体晶片。然而，传统硅半导体技术，已逐渐逼近物理极限。
为此，全世界科学家都在寻找下一代半导体材料，而“二维半导体”因为薄到只有原子级厚度，被视为延续摩尔定律，让晶片持续微缩与提升效能的重要关键。
台湾阳明交大电子物理系、中研院应用科学研究中心教授张文豪团队，携手台积电Iuliana Radu博士团队及阳明交大半导体工程学系教授李宗恩，针对二维半导体长期以来面临的“介面问题”提出解决方案。张文豪表示，未来二维半导体真正的竞争，不只是材料，而是介面工程。这项技术最大价值是建立可广泛应用于不同二维半导体材料的平台技术。未来可望发展出更高速、更低功耗的电子元件，并与现有的半导体制程完美结合，为“后硅时代”的晶片技术奠定重要基础，也再次展现台湾在次世代半导体领域的创新实力与国际竞争力。