北方华创3D DRAM刻蚀突破，500：1选择比绕开EUV

9月5日，北方华创在IEEE期刊发表学术论文，宣布3D DRAM制造工艺重大突破。

开发的两步循环刻蚀工艺，针对64层硅与硅锗交替堆叠结构，实现超500:1的SiGe与Si刻蚀选择比。

这意味着刻蚀硅锗的速度比硅层快500倍以上，200纳米夹层中硅损耗控制在1纳米以内。

更加关键的是，64对交替层堆叠下结构均匀度超过95%，消除纵深刻蚀不均顽疾。

3D DRAM核心理念是从二维平面微缩转向三维垂直堆叠，在等面积下提升存储密度。

但是高深宽比下横向选择性刻蚀一直是行业难题——选择比不够会伤硅骨架，微负载效应让底部副产物沉积。

北方华创把工艺切成“刻”与“清”两个阶段循环迭代。

第一阶段用无偏置电中性氟自由基定点刻蚀SiGe，同时在硅表面形成氟化锗保护膜。

第二阶段引入反应气体清理底部副产物沉积，确保刻蚀气体垂直纵深穿透。

长期以EUV光刻机被视为先进制程命门，而西方对华出口管制持续收紧。

北方华创把制造重心转向垂直方向，用工艺创新绕开水平方向光刻限制。

给国产存储芯片开辟了一条“没有EUV也能造先进存储”的新路径。

就在8月底，长鑫存储刚宣布LPDDR6全球首发量产。

现在北方华创在3D DRAM制造设备上取得突破，国产存储正在形成“芯片设计+制造设备”双轮驱动。

半导体竞争从来是谁先把最折磨工程师的细节啃下来。

北方华创这次，啃下了一块硬骨头。

你觉得，3D DRAM这条技术路线能让国产存储实现“换道超车”吗？