在scaling law不断高速推进下，摩尔定律仍能在1nm以下不断推进。

-八月初，台积电携手阳明交大团队，成功开发出高效能的单层二硫化钼（MoS2）顶闸极电晶体，有助突破摩尔定律极限，开启“后硅”时代新契机。
业界指出，为了突破摩尔定律极限，半导体制程后续进入1纳米以下时，探索新材料为必然的路径，二硫化钼成为备受瞩目的新材料，预计在约1纳米以下的0.7纳米（A7制程） / CFET 时代导入。
包括应用材料、阿斯麦（ASML）、AIXTRON、ASM International及Lam Research等半导体设备巨头都积极投入研发对应二硫化钼新材料的设备与技术需求，透露其获得重视的程度。
众所周知，手机、电脑甚至未来的AI智慧装置，都需要运算速度更快、耗电更低的半导体晶片。然而，传统硅半导体技术，已逐渐逼近物理极限。
为此，全世界科学家都在寻找下一代半导体材料，而“二维半导体”因为薄到只有原子级厚度，被视为延续摩尔定律，让晶片持续微缩与提升效能的重要关键。