瑞银指出，从专利申请活动来看，尤其是在光源和雷射子系统领域，中国目前的技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产EUV设备前15年时的水平，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在2004年时相当”。分析师们表示，考虑到中国设备在良率和产能方面与阿斯麦可能仍存在差距，再加上监管限制，相信中国光刻设备不太可能在中国境外得到应用。不过，瑞银预计，中国有望在未来2至5年内具备浸没式深紫外(DUV)光刻机的大规模量产能力。虽然浸没式DUV不如EUV系统先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备，利用光线将复杂精细的电路图案转印到硅晶圆上。