a股钼芯片 【SemiAnalysis：闪存制造正“由钨转钼”】

8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述3D NAND闪存制造从钨向钼转型的技术逻辑。3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。 SemiAnalysis在推文表示：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。（华尔街见闻）