HBM4量产拐点+存储分层：新算力时代的"内存革命"
三星 HBM4 良率攀近 80%（6 个月实现良率拐点）、Q3 营收环比 +3 倍；HBM4 单价31−32/𝐺𝐵𝑣𝑠
𝐻𝐵𝑀3𝑒31−32/GBvsHBM3e17-18/GB 接近翻倍；闪迪 AI 存储指引暴增 13%。
核心观点：
HBM4 进入"黄金良率"拐点（80%+），HBM 竞争从技术研发比拼转向产能争夺。2026-2027 年 HBM4 产能已售罄（英伟达、AMD、Google TPU 锁单）。
存储巨头从周期波动转向 AI 需求定价——DRAM ASP Q2 环比 +40% mid、NAND +high-60%。HBM4 单价是普通 DRAM 的 5 倍，2027 年三星将以 41% 份额反超 SK 海力士 39%。
中国卡点在 HBM 堆叠工艺与 EUV 光刻机国产化。长鑫存储 HBM3 良率突破 60%，HBM4 计划 2027 年量产。