关于台积电1nm工艺制程超顶级手机芯片：台积电与阳明交通大学合作在1nm电晶体技术上突破。先在二硫化钼（MoS₂）表面沉积超薄外延铝，氧化生成 0.42 纳米氧化铝缓冲层，再覆盖高 κ 氧化铪介电层。

台积电在2030年实现量产代号（A10）的1nm制程技术突破的厂商。