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DrMOS出现5%硬缺口,海外大厂涨价 30%至40%,国内配额剩10%至20%

DrMOS出现5%硬缺口,海外大厂涨价
30%至40%,国内配额剩10%至20%
AI算力引爆超节点放量,单机柜功耗向兆瓦级跃升,驱动整机及DrMOS产业链迎戴维斯双击,市场定价正转向单机价值量非线性爆发。全球8寸晶圆产能出清叠加AI需求致DrMOS出现5%硬缺口,海外大厂已涨价30%-40%,单卡功耗向1400W演进使电源价值量翻倍至100-120美金。因海外产能倾斜致国内配额仅剩
10%-20%,量产90A产品的国产厂商迎来替代窗口,未来两年渗透率将从不足10%跃升至50%-60%,国内市场2-3年内将破50亿元。
同时,超节点使芯片密度提升10倍、组件达200万个,高壁垒推动单价超300万美金机柜放量,OEM净利率步入修复通道。当前多数标的估值停留在2026年,随下半年订单落地,产业链将迎估值向2027年切换。关注:杰华特/晶丰明源南芯科技/芯朋微(国产DrMOS厂商,受益于AI功
耗跃升与国产替代),英飞凌(海外DrMOS龙头,受益于产能缺口与涨价红利),浪潮信息(服务器OEM厂,受益于超节点机柜放量及盈利修复)