荷兰光刻机巨头ASML表示，现在在美国的技术封锁下，中企想获取EUV光刻机几乎不可能了，但是中国一直没有放弃，研发投入每年增速超过20%。   麻烦看官老爷们右上角点击一下“关注”，方便您进行讨论和分享，感谢您的支持！   荷兰光刻机巨头ASML近期在公开场合明确表态，受美国持续加码的技术出口管制政策约束，中国境内的芯片制造企业想要采购到用于先进制程生产的EUV光刻机，在当前的国际规则下几乎没有任何实现的可能，这一说法也坐实了高端光刻设备对中国的封锁壁垒。 很多人看到这句话都会觉得心头一紧，毕竟EUV光刻机是生产7纳米及以下高端芯片的唯一设备，全球只有ASML能够量产，被卡住这条供给线，就等于被限制了先进芯片制造的上限，这也是美国技术封锁想要达到的核心目的。 但和西方部分机构预判的“中国芯片产业会就此停滞”不同，国内半导体行业不仅没有停下脚步，反而拿出了远超市场预期的研发投入力度，中国半导体行业协会公布的数据显示，近五年国内半导体领域研发投入年均增速稳定保持在20%以上，资金持续流向设备、材料、工艺等核心短板环节。 国家大基金三期也在持续向半导体产业链加注，累计投资规模超过3000亿元，重点覆盖成熟制程光刻机、核心零部件、先进封装等关键领域，从政策到资本的双重加持，让国产芯片的自主攻坚有了充足的底气，不会因为短期封锁就放弃长期布局。 美国主导的这场技术封锁并非只针对EUV光刻机，从2023年开始，美国联合荷兰、日本不断收紧规则，就连用于成熟制程的DUV光刻机也被纳入逐单审批范围，试图从源头切断中国芯片制造的设备供给，打压范围覆盖全产业链环节。 当时不少海外媒体唱衰中国芯片产业，认为国内既造不出高端光刻机，又买不到核心设备，用不了多久就会陷入产能萎缩的困境，甚至断言中国至少需要十年以上才能突破基础的光刻设备制造瓶颈，低估了国内产业链的韧性与创新能力。 面对层层封锁，国内半导体产业选择先稳住成熟制程基本盘，上海微电子研发的28纳米浸没式DUV光刻机已经完成产线验证并实现量产交付，设备国产化率超过85%，核心性能对标海外同类型产品，补上了成熟制程设备的关键短板。 中芯国际依托国产DUV设备结合多重曝光工艺，成功实现7纳米芯片的稳定量产，良率突破80%，能够满足智能手机、人工智能服务器等主流高端产品的芯片需求，在没有EUV设备的情况下走出了一条特色工艺突围路径。 除了光刻机整机，产业链上游的核心零部件也迎来多点突破，科益虹源的ArF准分子激光光源、华卓精科的双工件台、国望光学的投影物镜相继实现国产化替代，打破了ASML长期垄断的核心部件供应体系，让国产光刻机不再受制于人。 南大光电的ArF光刻胶、江丰电子的高纯靶材等关键材料也通过头部晶圆厂验证并批量使用，从设备到材料再到制造工艺的全链条突破，标志着中国半导体自主产业链正在快速成型，不再依赖单一海外供应商。 美国的技术封锁虽然在短期内限制了中国先进制程的发展速度，却意外起到了反向倒逼的作用，让国内企业彻底放弃对海外设备的幻想，集中资源攻克原本不愿投入研发的“卡脖子”环节，反而加速了自主化进程。 ASML CEO富凯也曾在采访中坦言，过度的技术限制只会让中国加快摆脱对西方技术的依赖，未来甚至可能形成反向技术输出，如今国内半导体产业的发展态势，也恰恰印证了这一判断，封锁没有打垮产业，反而激活了创新动力。 在成熟制程站稳脚跟后，国内科研团队也在向高端EUV技术发起攻关，哈工大、中科院上海光机所等机构在极紫外光源、光学系统等核心模块上取得阶段性进展，同时布局纳米压印、二维半导体等换道超车技术路线。 2026年全国两会科技部部长在部长通道明确表示，中国芯片攻关取得新突破，十五五规划也将集成电路列为关键核心技术攻坚重点，意味着高端光刻技术的研发已经上升为国家战略，长期突破只是时间问题。 从当前的产业格局来看，中国芯片产业已经走出了“被封锁-被动应对-主动突破”的阶段，成熟制程实现自主可控，先进制程稳步推进，研发投入持续高位增长，产业链配套能力不断完善，整体实力处于稳步提升的通道。 ASML的表态只是当前国际技术规则下的现实陈述，但这并不代表中国会一直被挡在高端光刻技术门外，历史已经多次证明，只要是中国下定决心攻克的技术壁垒，最终都能实现自主突破，芯片领域也不会成为例外。 未来随着国产光刻机技术迭代、产业链协同创新持续深化，中国不仅能攻克EUV光刻机核心技术，还会构建起更加安全自主的半导体产业体系，打破全球芯片制造领域的单一垄断格局，在全球科技竞争中掌握更多主动权。 信息来源 1. ASML官方公开表态、2025-2026年财报会议纪要 2. 中国半导体行业协会：中国半导体产业研发投入数据报告