阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 ​这番表态出自阿斯麦现任CEO克里斯托夫·富凯，他在2024年底接受荷兰媒体NRC采访时直言不讳。富凯接手阿斯麦后，正赶上中美科技博弈白热化阶段，美国推动荷兰政府加强出口管制，阿斯麦作为全球唯一能造商用EUV光刻机的公司，自然成了焦点。 ​EUV用13.5纳米波长光源，能单次曝光刻出极小特征尺寸，支撑当下最前沿的AI芯片和高性能计算。相比之下，深紫外（DUV）设备波长193纳米，需要多重曝光叠加图案，步骤多、对准难、良率低、成本高，做到7纳米已经极限，往下推到5纳米或3纳米，经济性就崩了。 ​富凯强调，阿斯麦花了20多年才把EUV从实验室搞到量产，中间无数次失败迭代，涉及光源等离子体放电、镜面镀膜、多层反射系统等高精尖技术。中国就算砸钱砸人，也得走类似长周期。中国企业在7纳米上用DUV多重曝光确实搞出成果，比如SMIC的N+2工艺支持华为部分产品，但产量和成本远不如EUV高效，没法支撑大规模商用。富凯的逻辑很直白：禁运EUV就是在拉开代差，确保西方在最先进节点保持领先。 ​阿斯麦的生意本来高度依赖中国市场，过去几年中国客户贡献了大量订单，主要买DUV系统用于成熟制程和部分先进节点。但管制升级后，EUV完全禁售，部分先进DUV也受限。2025年阿斯麦财报显示，中国业务占比从之前高点滑落到约33%，预计2026年进一步降到20%左右。公司总营收2025年达到327亿欧元，净利润96亿欧元，主要靠AI需求拉动其他地区订单，比如台积电、三星、英特尔这些客户扩产高NA EUV设备。 ​中国这边没坐以待毙，转而深挖DUV潜力。SMIC等企业加大多重图案化应用，比如SAQP（自对准四重图案化），在28纳米及以上节点大规模扩产，覆盖汽车芯片、物联网、消费电子这些量大面广的市场，这些领域占全球芯片需求70%以上。 ​华为也持续优化自研架构，通过三维堆叠等技术提升能效。报道显示，SMIC在2025年推进N+3节点，接近5纳米级，产量逐步爬坡，虽然成本高、良率挑战大，但实现了自主可控。部分消息指出，中国目标在短期内把7纳米和5纳米产能提升到每月10万片，到2030年再翻几倍，满足AI算力需求。 ​富凯上任以来，多次在投资者会议和行业峰会上重申，公司严格遵守荷兰和美国协调的出口规则，同时争取保留对中国现有设备的维护服务权，这样能继续监控技术使用，防止外泄。他承认地缘政治带来不确定性，但强调AI浪潮是主要增长引擎，高NA EUV将在2027-2028年进入量产，支撑2纳米以下节点。阿斯麦市值长期保持高位，全球光刻设备份额超90%，但中国订单减少已成为长期趋势。 ​这场博弈本质上是技术壁垒与自主突破的拉锯战。西方靠垄断EUV维持代差，中国靠DUV挤压空间、积累经验。富凯的表态反映出西方对技术扩散的警惕，但也暴露了管制双刃剑的一面：短期卡住对手，长期可能刺激对手加速自研。半导体产业链高度全球化，阿斯麦营收依赖多元市场，中国作为最大单一市场之一，禁运影响公司增长预期，但AI需求整体拉高行业天花板。未来，这场技术博弈的走向充满变数。中国在半导体领域的自主研发之路虽充满挑战，但也在不断取得新的突破。随着时间的推移，中国企业对DUV技术的挖掘或许会达到一个新的高度，甚至有可能在此基础上开辟出全新的技术路径。 而阿斯麦，尽管凭借EUV技术占据着全球光刻设备市场的主导地位，但过度依赖出口管制来维持优势，也并非长久之计。一旦中国实现关键技术的自主可控，阿斯麦在中国市场的份额可能会进一步萎缩。 从全球半导体产业的大格局来看，技术封锁只会让产业链的发展受到阻碍。中国市场的庞大需求和强大的学习能力，将促使国内企业全力投入研发。也许在不久的将来，中国不仅能在成熟制程上实现自给自足，还能在先进制程上取得重大突破，打破西方的技术垄断。 这场技术壁垒与自主突破的较量，最终的结果或许会重塑全球半导体产业的版图，让我们拭目以待。