屹唐股份正遭遇严峻的核心技术泄密危机：两名前员工离职后加入美国应用材料公司，将其等离子体源及晶圆表面处理核心技术用于专利申请，使企业十年研发成果面临被侵占风险。这一危机源于三重因素：应用材料以3倍薪资+股票期权的优厚待遇恶意挖角，利益驱动成为直接诱因；企业自身存在管理漏洞，核心技术未实现分级管控，保密协议执行流于形式，离职审查未及时回收技术权限；叠加半导体行业人才竞争白热化，国际巨头针对性挖角已成常态。 涉案技术是屹唐耗费12亿元、历时十年研发的等离子体源及晶圆表面处理技术，包含40余项关键参数，能实现高浓度稳定等离子体产生，应用于干法去胶、蚀刻等关键环节，精度达纳米级，是半导体制造中仅次于光刻机的高壁垒技术。其对中国半导体产业意义重大：打破了应用材料、泛林半导体的长期垄断，使干法去胶设备全球市占率达34.6%；支撑5nm逻辑芯片、128层3D NAND等先进制程落地，将芯片良率从60%提升至90%；推动国产设备从“可用”向“好用”跨越，为产业链自主可控奠定基础。 目前该技术已深度应用于国内主流晶圆厂，中芯国际、长江存储、华虹半导体、长鑫存储等企业的先进产线均有采用，国内12英寸晶圆厂覆盖率达60%。一旦技术彻底泄露，对屹唐而言，不仅12亿元研发投入付诸东流，核心竞争力丧失，超150亿元在手订单也将面临流失风险；对国内半导体产业则可能导致国产替代进程受阻，先进制程突破陷入被动，原本撕开的国际垄断口子或被重新闭合，产业链安全遭遇严重威胁。