投资者提问：

大股东中国电科产业基础研究院突破毫米波频段氮化镓一片式T/R芯片技术，实现大功率氮化镓功率芯片与硅基幅相多功能芯片异构集成，将氮化镓功率器件和硅幅相多功能器件“拼装”在同一芯片上，实现了“一片式”设计，体积更小，效率更高。该项技术将在通信遥感、商业航天、航空测绘等领域释放巨大潜力。为下一代高功率T/R卫星等芯片产业化应用奠定坚实基础。请问公司相关T/R芯片产品相比于国博电子等企业产品优势在哪里？

董秘回答(中瓷电子SZ003031)：

您好，国联分公司氮化镓射频芯片，具有集成度高，体积小，功耗低，单通道发射功率大，探测距离远，探测目标清晰等优势。谢谢您的关心。