据韩国媒体披露，三星电子、SK海力士等头部存储厂商已敲定明年HBM3E产品的涨价方案，涨幅达到近20%。按照行业惯例，在新一代存储产品面市前夕，前代产品通常会开启降价通道，此番HBM3E逆势涨价的操作，在存储行业发展历程中实属少见。这一调价动作将为存储芯片板块构成利好。本轮存储芯片价格上行的力度，已经远超市场此前的普遍预期，其核心驱动力源于供需两端的共振效应。供给侧，各大存储厂商预判明年第六代HBM（HBM4）需求将迎来爆发式增长，纷纷向该产品倾斜产能，直接造成HBM3E的产能供给出现挤压；需求侧，除了英伟达这类传统算力巨头持续加码采购外，谷歌、亚马逊等科技大厂也大幅提升了HBM3E的订单量级。需要关注的是，美光在不久前的业绩发布会上，也对HBM赛道的未来表现释放了积极信号。从A股市场来看，存储芯片作为AI算力产业链的核心细分领域，在行业高景气度的加持下，近期市场交投始终保持活跃态势，已然成为当前资本市场的主线热点赛道。