在电子领域，软桥和吸收二极管虽都与二极管相关，却有着不同的特性与应用场景。今天就来为大家详细解读这两种器件，帮助大家更好地选择和使用它们。

一技术原理对比

软桥

核心技术

通过掺杂贵金属和优化制程工艺，改善二极管反向恢复曲线，降低关断时的谐波振荡。

关键特性

1 平滑关断：优化软度因子（tb/ta），减少500kHz以内差模传导干扰。

2 简化EMI设计：降低AC输入线杂散电感，减少X电容、共模电感等外围器件需求，节省BOM成本。

3 直接替代性：可直接替换普通整流桥，适配AC-DC电源设计。

吸收二极管

核心技术

钳位变压器漏感与MOS结电容产生的振荡，吸收能量并回馈至次级电路。

关键特性

1 抑制高频辐射：优化30MHz~60MHz频段的辐射干扰，提升EMI测试余量。

2能效提升：降低空载损耗（>10mW）及轻载温升，轻载效率提升2%~3%。

3高温可靠性：通过平缓反向恢复特性，减少热应力，延长器件寿命。

二应用场景

1软桥适用场景

2吸收二极管适用场景

3选型决策指南

需求维度

推荐方案

核心优势

EMI传导优化

软桥

减少低频干扰，省去EMI抑制器件成本

高频辐射抑制

吸收二极管

改善30M~60MHz辐射，提升测试余量

轻载效率提升

吸收二极管

空载损耗降低10mW+，轻载

效率提升

BOM成本控制

软桥

简化滤波电路，减少器件数量

4部分选型：

深圳市沃尔德实业有限公司2010年成立，致力于更高能效转换的半导体产品研发及设计，提供更加专业的半导体元器件。

总部位于深圳，在成都、无锡设有应用中心、研发中心和销售中心，日本、荷兰设有联络点，是一家以半导体分立器件为核心，主要致力于半导体分立器件研发、生产和销售的国家高新技术企业。