近十余年间，以美国为首的西方阵营在半导体领域对中国实施的技术封锁，绝非浅尝辄止的施压，而是直指产业命脉的系统性遏制。

早在2018年，美国商务部便率先收紧对华高端芯片制造设备的出口闸门，将限制焦点精准锁定在光刻机这一“工业皇冠上的明珠”。

荷兰阿斯麦（ASML）作为全球光刻设备的绝对龙头，曾长期将中国市场视为核心增长极，其深紫外（DUV）光刻机一度占据中国高端设备进口的半壁江山，然而在美国主导的管制框架下，其最先进的极紫外（EUV）光刻机自2019年起便彻底断供中国，即便是成熟的深紫外设备供应也逐步受限。

作为半导体设备领域的重要玩家，日本企业也迅速跟进美国的封锁步调。

2023年7月，日本经济产业省正式出台新规，对23种关键半导体制造设备实施出口许可管理，涵盖薄膜沉积、蚀刻、清洗等多个核心环节，直接导致中国企业对尼康、佳能等日企设备的采购计划大面积停滞。

荷兰政府随后于2023年9月跟进加码，将阿斯麦旗下多款用于先进制程的深紫外光刻机纳入出口管制清单，要求企业提前申请许可，审批周期最长可达半年。

多家日本媒体在事后复盘时指出，美日荷三方的协同封锁，本意是通过切断核心设备供应延缓中国半导体产业升级进程，却意外触发了中国企业“自主求生”的强烈动能。

面对断供危机，中国半导体产业链并未陷入被动等待，而是迅速将资源向自主研发倾斜，形成了“举国之力攻难关”的产业共识。

以上海微电子装备（集团）股份有限公司（SMEE）为代表的本土企业，成为这场突围战的核心力量。

这家成立于2002年的企业，早在上世纪末便已预判到光刻设备的战略重要性，初期通过引进消化吸收国际成熟技术积累经验，逐步构建起自主研发体系，到2020年已实现90纳米制程光刻机的稳定量产，打破了外资在中低端市场的垄断。

其里程碑式的28纳米浸润式深紫外光刻机项目，虽在2021年因关键部件进口受阻导致交付延期，但研发团队并未停滞不前，而是转向核心部件的国产化替代攻关。

2025年5月，上海微电子正式对外宣布，首台28纳米浸润式光刻机已完成客户交付并投入量产验证，这一消息让全球半导体行业为之震动。

鲜为人知的是，为突破双工作台精度、浸润系统适配等技术瓶颈，近千名工程师组成的研发团队在三年间实行“三班倒”攻关模式，仅光学系统的调试就完成了超过10万次实验，最终将设备核心指标稳定在国际同类产品水平。

从全球产业格局来看，光刻机市场长期呈现“三足鼎立”态势：阿斯麦垄断7纳米以下高端制程市场，尼康、佳能占据中低端领域，而中国在沉积、蚀刻、清洗等配套设备领域的持续突破，已为光刻设备国产化扫清了大部分障碍。

2025年7月《日本经济新闻》的深度报道中，援引行业分析师观点指出，中国工程师群体的极致专注与高效执行，使得光刻技术突破从“能否实现”的疑问，转变为“何时实现”的时间问题。

封锁措施的本质，是美西方试图维系其在高端制造领域的技术霸权，但中国独特的市场规模与完整产业链优势，为自主研发提供了不可替代的支撑。

海关数据显示，自2020年起，中国已连续五年成为全球最大的芯片设备进口国，年进口额峰值超过300亿美元，占全球市场份额的40%以上，庞大的市场需求为本土企业提供了充足的研发资金与应用场景。

更关键的是，中国半导体设备的本土化率已从2020年的不足15%，提升至2025年的35%，其中蚀刻、薄膜沉积等设备国产化率已突破50%。

政策层面的精准扶持同样不可或缺。

自“十四五”规划实施以来，半导体产业被纳入“卡脖子”技术攻关清单首位，国家集成电路产业投资基金（大基金）一、二期累计投入超3500亿元，带动地方政府与社会资本形成万亿级投资规模。

在人才激励方面，多地推出“半导体人才引进计划”，为海外高端人才提供安家补贴与研发启动资金，仅2024年就有超过500名海外资深工程师加入国内光刻技术研发团队。

这种“市场牵引+政策护航”的组合拳，让中国在封锁中走出了一条差异化的自主创新之路。

中国在光刻领域的突破绝非停留在实验室阶段，而是形成了从核心部件到系统集成的全链条成果落地。

上海微电子交付的28纳米浸润式光刻机，在2025年9月完成中芯国际产线验证，其实际量产良率达到92%，完全满足车用芯片、物联网设备等主流应用场景需求，更可通过多重曝光技术实现14纳米甚至12纳米制程的延伸应用…

这一突破的背后，是配套产业的协同发力：长春光机所研发的高纯度光学镜头，将成像精度控制在0.1纳米级；华卓精科的双工作台系统，实现了600毫米/秒的高速运动精度，这些核心部件的国产化率已提升至85%以上。

日本《产经新闻》的产业调研显示，中国已在半导体制造的测量、化学机械抛光（CMP）等12个关键环节实现国产化替代，其中华为牵头组建的“半导体供应链联盟”发挥了关键作用，通过整合上下游资源，将设备验证周期从传统的18个月压缩至9个月。

光刻胶等关键材料的突破同样令人瞩目。

2025年12月，本土企业艾森股份宣布，其自主研发的先进封装用厚膜负性光刻胶已实现批量供货，打破了日本信越化学长达十年的垄断，该产品在玻璃基封装领域的市场占有率已快速攀升至30%。

更值得关注的是，北京大学化学与分子工程学院团队采用冷冻电子断层扫描技术，成功解析了光刻胶分子聚合的微观机制，通过分子结构优化将缺陷率降低40%，相关研究成果不仅为产业化提供了直接技术指导，更发表于《自然·通讯》期刊，获得国际学界认可。

在更尖端的极紫外光刻领域，中国选择了差异化的技术路径实现弯道超车。

不同于阿斯麦依赖的美国Cymer公司二氧化碳激光光源，中国科学院上海光机所林楠研究员带领的团队，成功研发出固体激光驱动的LPP-EUV光源，其能量转换效率达到3.42%，超过荷兰与瑞士团队的同期水平，虽尚未达到商用标准的5%，但已具备瓦级功率输出能力，可满足曝光验证与掩模检查需求。

这位曾任职于阿斯麦光源研发部的专家，带领团队建立的实验平台理论转换效率有望接近6%，相关技术已申请国际专利，其体积仅为传统二氧化碳光源的1/3，能耗降低50%，展现出显著的技术优势…