在大家的认识中，目前所有的大规模的芯片制造，均是使用光刻工艺。

而EUV则是制造7nm以下芯片必不可少的设备，没有替代品，什么NIL纳米压印等，均无法取代，因为效率太低，良率太低。

不过，尽管如此，全球所有的企业，均在研发NIL等各种不同于EUV的技术，原因就是EUV光刻机被ASML垄断，美国又控制了ASML，所以卡脖子是悬在每一家芯片企业上的利剑。

近日，有一家中国企业站了出来，表示到2030年，可以实现1nm芯片的全国产制造，并且不依赖于EUV，只需要很成熟的光刻机即可。

这家企业就是脱胎于复旦大学研究团队的原集微科技（上海）有限公司（以下简称原集微）。

这家企业是复旦微电子学院研究员、博士生导师包文中创办的，属于学校科研团队的产学研成果转化。

包文中本来就是复旦大学的博导，之前与同样是复旦大学的周鹏教授，一直就在研究二维半导体材料，并且已经有了研究成果，之前在《自然》杂志上就发表了两人和团队的研究的成果，那就是成功制造出了全球首款二维芯片--“无极”，集成了5900个晶体管，全球技术最领先。

这次创办这家企业，就是想将成果转化为商业落地，所以就有了原集微。

这种二维芯片的制造，与EUV制造芯片不一样，EUV制造芯片是通过光刻机在硅晶圆上雕刻出电路图来。

而二维芯片是通过特定材料的原子自发地“生长”出来，形成二维结构，这个过程相比于EUV光刻，少了80%的工艺流程，并且优点非常多，最重要的是因为不需要用EUV来雕刻电路图，所以对光刻机的要求非常低，哪所是1nm的芯片，普通的DUV光刻机就够用了。

目前原集微已经获得了上亿元的融资，且建成了国内首条“二维半导体”工程化验证示范工艺线。在2026年要实现90nm二维芯片的制造，2027年实现28nm，到2030年则会实现1nm芯片的制造。

接下来，就让我们期待一下，到2030年能不能真的实现1nm国产，如果是真的，那估计全球的芯片产业，都要洗牌，到时候会是中国的天下。