基于GeneSiC沟槽辅助平面技术的3300V和2300V器件代表了向10 kV SiC解决方案迈出的重要一步

近日，Navitas半导体宣布其新型3300V和2300V超高压（UHV）产品以电源模块、分立和已知优良芯片（KGD）的格式提供样品。该公司宣称，这些碳化硅（SiC）产品为超高压电力电子产品的可靠性与性能树立了标杆，是其迈向10 kV SiC解决方案进程中的重要里程碑。

“Navitas全新的3300V和2300V SiC产品组合，助力我们的客户突破人工智能数据中心固态变压器在效率与可靠性方面的局限，同时也为公用事业规模的电池储能和可再生能源领域带来变革，为这类关键任务系统应用确立了全新标准。”SiC业务部门副总裁兼总经理Paul Wheeler如是说道。

这些特高压器件依托Navitas的第四代GeneSiC平台，该平台运用沟槽辅助平面（TAP）架构，达成多步电子场管理。相较于沟槽和传统平面SiC金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET），显著减轻了电压应力，提升了电压阻塞能力。据该公司表示，TAP架构能够赋予更高的长期可靠性和雪崩稳健性。

此外，此项技术具备最佳的源触点，可实现卓越的电池间距密度与增强的电流扩展，进而提升开关性能，并降低高温环境下的导通电阻。

对于高功率密度和高可靠性系统而言，这些产品被集成至先进的SiCPAK G+功率模块封装之中，提供半桥和全桥电路配置。SiCPAK G+电源模块采用了特殊的环氧树脂灌封技术，相较于类似的硅胶灌封电源模块技术，其功率循环寿命提升了60%以上，热冲击可靠性提高了10倍有余。

SiCPAK G+电源模块的主要特性还涵盖具有卓越散热性能的氮化铝（AlN）直接键合铜（DBC）基板以及新型大电流压合引脚，每个引脚的载流能力实现了翻倍。分立SiC MOSFET采用行业标准的TO - 247和TO - 263 - 7封装。

Navitas还创建了增强的可靠性认证基准AEC - Plus，这表明其SiC产品的合格程度超越了现有的AEC - Q101和JEDEC产品认证标准。对现有AEC - Q101要求的补充内容包括动态反向偏置（DRB）和动态门开关（DGS）。静态高温、高压测试（高温反向偏置HTRB、高温栅极偏置HTGB、高温栅极偏置恢复HTGB - r）的持续时间也延长了3倍以上。其他新增功能包括电源模块的高压高温高湿偏置（HV - THB）认证以及分立和KGD的高压高温高湿高加速应力（HV - H3TRB）认证；更长的功率循环和温度循环。

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