2026年的内存市场，用“疯狂”来形容毫不为过。
DDR5内存价格累计涨幅一度达到414%，主流16GB DDR5内存条从200多元飙升至近1000元，装机党直呼“买不起”。三星、SK海力士、美光三大原厂将大量产能转向利润更高的HBM和服务器产品，消费级内存供给被严重挤压。
就在这样的背景下，长鑫存储放出了一个重磅消息。
G5平台：不靠EUV，成本砍半
2026年9月20日，长鑫科技在世界制造业大会上正式宣布第五代DRAM技术平台（G5）实现量产。
这个平台最引人注目的地方在于：全程没有使用EUV光刻机。长鑫通过ArF浸没式DUV四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，第三方拆解机构TechInsights实测确认其G5代DDR5特征尺寸为16.0nm，全程无EUV参与。
这意味着什么？过去业界普遍认为，没有EUV设备，DRAM制程很难突破20纳米级别。长鑫用DUV做到了16nm，直接把这个天花板抬高了整整一代。
但更关键的是成本。G5平台每片晶圆产出裸片数量较上一代提升至少50%。资深分析师指出，这意味着单颗制造成本将直接砍半，长鑫具备了发动价格战的极大底气。
产能扩张：从月产30万片到60万片
技术突破之外，产能才是决定价格的关键变量。
目前长鑫在合肥和北京运营着三座12英寸晶圆厂，总月产能约30万片，2026年计划冲刺40万片。预计到2026年末，产能将提升至每月35万片晶圆。
更值得关注的是在建产能。长鑫在上海的新厂整体产能规划为合肥基地的2至3倍，预计2026年下半年设备搬入、2027年正式量产，主攻DDR5和LPDDR5X产品。合肥和上海全面投产后，月产能有望提升至60万片晶圆。
三星电子前半导体部门总裁庆桂显公开预测，此轮涨价潮将在2027年下半年迎来拐点，而压制价格的关键力量来自中国DRAM厂商的大规模产能扩张。
但现实比预期复杂得多
产能扩张的消息令人振奋，但内存价格并没有立刻降下来。
多名内存模组厂商在2026年6月的Computex展会上明确表示，长鑫DDR5内存颗粒的采购价格几乎与三大原厂处于同一水平线，此前有消息称长鑫模组在某些渠道售价低至138美元，但厂商透露那只是短期促销或限量供应，远非普遍价格。
更直接的例子是，苹果为缓解下一代iPhone的制造成本压力，与长鑫就移动DRAM供货价格进行谈判，但降价要求遭到拒绝。据了解，长鑫坚持的报价甚至高于三星电子和SK海力士。
这说明一个事实：当前全球DRAM仍处于供不应求的状态，长鑫在产能尚未大规模释放之前，没有理由主动打价格战。
宏碁董事长陈俊圣在行业论坛上直言，标准型内存“大家满手货”，市场早就供过于求。但他也补充，由于其他零组件成本仍在高位，2026年第四季度PC整机售价仍可能调涨，随着采购成本在2027年下半年显著下降，终端售价才有望回落。
价格拐点何时到来？
综合各方信息来看，内存价格的走向可能呈现“分阶段”特征。
短期来看，消费级内存价格大概率继续震荡。渠道库存在消化，但原厂仍优先保证高端订单，底层供给并没有真正放开。AI需求对DRAM产能的强力挤压仍在持续，三星、SK海力士和美光将约四成产能押给了AI相关的大额订单。
中期来看，2027年将是关键节点。长鑫上海新厂正式量产、全球DRAM晶圆月产能可能攀升至600万片，供给端的结构性变化将逐步显现。庆桂显同时提醒，若大型科技公司AI资本支出回报率走低，2028年后存储芯片需求可能萎缩，届时产能若已铺开，价格下跌将更加剧烈。
长鑫G5平台的量产，标志着国产存储在高端领域真正坐上了牌桌。原来的“三国演义”格局，正在演变为“三寡头+1”的新局面。
但技术突破和产能释放之间存在时间差，价格从高位回落到普通消费者能感知的程度，还需要耐心。对于近期有装机需求的用户来说，分批入手、不盲目囤货，或许是更稳妥的选择。