以及在该栅极氧化层图案、该金属氮化层图案和该硅化物的侧面上的间隔物。
半导体结型二极管包括硅，所述硅与硅化物相接触时结晶化。
硅化物可以提供用于结晶化的模板，降低了硅的缺陷密度并且提高了其导电性。
当熔炉运行的时候，可以在金属溶液里加一种合适的变质剂，例如钙化剂或者其他的等价物。
一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，用于薄膜制备领域。
本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。
金属硅化物薄膜是广泛应用于超大规模集成电路器件的重要电子材料。
几年以前，人们就发现稀土金属在Si（001）表面可以通过自组装生长获得纳米结构。
第一部分我们探讨矽化镍薄膜于接面二极体的制程改善。
新颖3D垂直式金属矽化物奈米结构阵列之设计与制备。
其它硅化物层（50.4-50.6）处于源极、漏极和多晶硅栅极的顶部。
所述多晶硅瓦片（14.1、14.2）具有硅化物层（50.1、50.2）。
铌硅化物基超高温合金与石墨坩埚氧化物涂层反应的热力学分析
1·The invention belongs to the technical field of microelectronic devices, in particular to a method for forming ultrathin controllable metal silicide.
本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。
2·The metal silicide layer prepared by the method has high heat stability and controllable growth speed.
本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。
3·Other silicide layers (50.4-50.6) are on the tops of the source, drain and polysilicon gate.
其它硅化物层(50.4 - 50.6)处于源极、漏极和多晶硅栅极的顶部。
4·Carbene and silylene are two kinds of reactive activity intermediates which belong to carbide and silicide separately, but they are quite similar.
碳烯和硅烯是分属于碳化物和硅化物中的两类反应活性中间体。两者甚为相似。
5·The polysilicon tiles (14.1, 14.2) have silicide layers (50.1, 50.2).
所述多晶硅瓦片（14.1、14.2） 具有硅化物层（50.1、50.2）。