以及在该栅极氧化层图案、该金属氮化层图案和该硅化物的侧面上的间隔物。
半导体结型二极管包括硅，所述硅与硅化物相接触时结晶化。
硅化物可以提供用于结晶化的模板，降低了硅的缺陷密度并且提高了其导电性。
本发明公开了一种硅化镁的制备方法与装置。
当熔炉运行的时候，可以在金属溶液里加一种合适的变质剂，例如钙化剂或者其他的等价物。
一种微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法，用于薄膜制备领域。
本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。
金属硅化物薄膜是广泛应用于超大规模集成电路器件的重要电子材料。
几年以前，人们就发现稀土金属在Si（001）表面可以通过自组装生长获得纳米结构。
第一部分我们探讨矽化镍薄膜于接面二极体的制程改善。
新颖3D垂直式金属矽化物奈米结构阵列之设计与制备。
其它硅化物层（50.4-50.6）处于源极、漏极和多晶硅栅极的顶部。
所述多晶硅瓦片（14.1、14.2）具有硅化物层（50.1、50.2）。
离子束通过薄阻隔层在硅上直接印刷纳米级硅化物结构
铌硅化物基超高温合金与石墨坩埚氧化物涂层反应的热力学分析
铌基合金包埋渗法制备抗氧化硅化物涂层及其组织形成
加拿大试验堆硅化物弥散燃料的制造与性能
非辐照铝基铀硅弥散体的热相容性研究