紧接着本文介绍了光子晶体的概念，分析了光子晶体的能带理论。
在不改变周期的情况下，通过调整伸长窄带长度可以改变带隙特性频率。
利用电吸收制作探测器的优点在于不必制备出有不同带隙的局部区域。
光子晶体光纤（PCF）是一种具有特殊包层结构的光纤，它是利用光子禁带效应（PBG）来导光的。
给石墨烯引入带隙的方法之一是制作极窄的石墨烯带。
这些此阿里奥具有高线性和非线性折射率，对带隙光具有感光性。
因此，设计高性能带隙基准源具有实际工程意义。
所述合金层提供改进的折射系数控制、宽能带隙、高电导率、和抗氧侵蚀能力。
使用斩波技术，减小了带隙基准源中运放的失调电压所引起的误差，提高了基准源的精度。
光子带隙结构中存在着类似于半导体中的禁带，称为光子带隙。
由于厚膜中存在较强的表面相互作用，厚膜的直接跃迁禁带宽与薄膜相比发生了红移。
提出了一种新颖的小型超宽阻带电磁带隙结构。
宽禁带半导体材料与器件的主要性能与特点在文中作了简要介绍。
缺陷接地结构由于其带阻特性而被广泛地应用到射频微波电路中，以改善电路性能。
设计了一种用于新型非制冷IRFPA读出电路的低温漂的低压带隙基准电路。
分析了基准电压源两个误差：温度误差、运算放大器失调。
还提供了用于宽带隙半导体器件的石墨BN钝化结构。
介绍了带隙基准电压源的基本原理，设计了一种高精度带隙基准电压源电路。
通过分析这种光子晶体的能带结构，显示其存在部分带隙。
采用平面波法（PWM）计算一维光子晶体的带隙结构。
设计了一种新型叉状电磁带隙结构（简称EBG）。
利用平面波法证明了一维超声光子晶体具有一般一维周期层叠结构光子晶体的禁带特征。
研究表明转变相移量不仅影响禁带的宽度和位置，并且也会转变慢光状态的模式数。
二维六边形晶格光子晶体的带隙研究
在光学量测上我们探讨了三种变化：改变周期数目对光子晶体能隙的影响；
二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与结构参数的关系