由于流过齐纳二极管的泄漏电流会在电阻器上产生电压降，所以希望使用低漏电的齐纳二极管。
Sims大多使用那些设备来校准齐纳电压参考，也校准电压标准单元。
作为一项预防措施，如果有非常大的瞬态电压，适当的齐纳二极管D3和D4保护D2可能是有必要的。
另一导线经由二极管，优选地是齐纳二极管，导向基于IGBT的开关的输出端。
在变压器的次级一侧有一个变阻器和齐纳二极管，它们起到进一步减小冲击脉冲的作用。
输出电压是由齐纳二极管（VR2）电压和在整个电压降落光耦（U2乐队）LED和电阻R1。
用两个齐纳二极管在保护端与LO端（或公共端）之间进行钳位。
其它输出电压是可能的，经过调整变压器匝数比齐纳二极管VR2和价值。
齐纳击穿二极管就是这种工作方式，在电压稳压方面非常有用。
3瓦，硅稳压二极管。额定电压39伏，现在的19毫安，+-5%的误差。
3瓦，硅稳压二极管。额定电压75伏，电流为10毫安，+-5%误差。
3瓦，硅齐纳二极管。额定电压43伏，电流17毫安，+-5%的公差。
5瓦，硅稳压二极管。齐纳电压160五，测试电流二点三毫安。+-5%的误差。
160伏，一甲，1.5瓦，玻璃钝化结硅稳压二极管。
13伏，0.5一个，3瓦，玻璃钝化结硅稳压二极管。
500毫瓦，硅稳压二极管。齐纳电压3.6五，测试电流为20毫安。+-10%的标准容差。
1·Modern voltage references are constructed using the energy - band - gap voltage of integrated transistors, buried zener diodes, and junction field - effect transistors.
现代电压基准建立于使用集成晶体管和带状能隙基准、掩埋齐纳二极体和结场效应晶体管。
2·Another line is directed via a diode, preferably a zener diode to the output of the IGBT-based switch.
另一导线经由二极管，优选地是齐纳二极管，导向基于IGBT的开关的输出端。
3·I have gone back to capacitive coupling from the receiver and also added a zener diode to protect the CMOS parts from possible static issues a little bit better.
我已经回到电容耦合从接收，也增添了齐纳二极管保护的CMOS部分，从静态的问题，可能一点点更好。
4·Zener references contain batteries that keep the unit under power during transport and calibration.
齐纳参考在运输和校准期间要用电池保持上电。
5·You cannot replace it by a standard Zener diode!
你不能取代它由一个标准的齐纳二极管！